按照本發(fā)明，用一個(gè)隔板環(huán)將放有熔化原料的坩堝的內(nèi)部隔開，從而使被提拉的單晶被包圍并且使熔化原料可以流動(dòng)，顆粒狀硅加到隔板環(huán)的外側(cè)，從而使外側(cè)的熔化液體成為一個(gè)顆粒狀硅的可溶區(qū)域，以保持隔板環(huán)內(nèi)側(cè)的熔化液面幾乎保持恒定，并且用一塊保溫板復(fù)蓋隔板環(huán)及其外側(cè)的熔化液面，使隔板環(huán)外側(cè)的熔化液體溫度至少比其內(nèi)部的溫度高出１０℃，或更高些。

一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結(jié)構(gòu)

本發(fā)明涉及到太陽能光伏級(jí)單晶硅壓力傳感器的制造方法及其結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供了一種單晶硅壓力傳感器單面加工的新方法和單晶硅絕對(duì)壓力傳感器的盒式結(jié)構(gòu)。本發(fā)明具有制造工藝簡(jiǎn)單、成品率高、成本低，與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點(diǎn)。

單晶硅生產(chǎn)裝置

一種單晶硅生產(chǎn)裝置，包括一個(gè)置于石墨坩堝內(nèi)的石英坩堝、隔板和加熱器，隔板將石英坩堝中的熔融硅料分成兩部分，內(nèi)側(cè)是單晶硅生長(zhǎng)部分，外側(cè)是材料熔化部分；加熱器用以使單晶硅生長(zhǎng)部分中的熔融硅料保持在適于單晶硅生長(zhǎng)的溫度下，并為熔化裝進(jìn)材料熔化部分的原材料提供熱量；隔板上開有一些小孔。$隔板的材料為不透明的石英玻璃。$向材料熔化部分加入原材料而從單晶硅生長(zhǎng)部分拉出單晶硅。$熔融硅料通過隔板小孔由材料熔化部分流入晶體生長(zhǎng)部分。

制造單晶硅的設(shè)備

在本發(fā)明的單晶硅制造設(shè)備中，有一熱輻射屏在單晶生長(zhǎng)區(qū)上方，以屏蔽和調(diào)節(jié)來自單晶生長(zhǎng)區(qū)中熔融硅表面的熱輻射，而降低坩堝溫度從而降低單晶中的氧濃度以減少熔融硅中的氧量。該熱輻射屏包括一用金屬板覆蓋的耐火纖維材料，一多層金屬薄板組合件或一電阻加熱元件。此外，坩堝內(nèi)部還被一加工成許多小孔在隔離部件隔開，或一石英管沿該隔離件的圓周方向延伸安裝在其內(nèi)側(cè)，使熔融硅從物料熔化區(qū)流暢地流向單晶生長(zhǎng)區(qū)并從而提供有效的措施。

單晶硅直徑測(cè)定法及其設(shè)備

本發(fā)明涉及一種測(cè)定單晶硅直徑的方法和設(shè)備。在用ＣＺ法提拉單晶的一規(guī)定轉(zhuǎn)動(dòng)周期的間隔內(nèi)，用光學(xué)裝置對(duì)熔融環(huán)的亮度分布進(jìn)行取樣，由此得出該提拉單晶的直徑測(cè)定值，再用低通濾波器處理該直徑測(cè)定值，以產(chǎn)生轉(zhuǎn)換成時(shí)序直徑數(shù)據(jù)的濾波器輸出值，然后求出濾波器輸出值的移動(dòng)平均值，從而計(jì)算出直徑值。本發(fā)明涉及的設(shè)備包括能完成上述測(cè)定方法的光學(xué)裝置、一低通濾波器和計(jì)算裝置。

單晶硅直徑控制法及其設(shè)備

單晶硅直徑的一種控制方法，在單晶硅邊相對(duì)于坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)邊受提拉的單晶硅制造過程中，將光學(xué)裝置測(cè)出的提拉單晶的直徑測(cè)定值與要求直徑值進(jìn)行比較，以確定偏差，再對(duì)得出的偏差進(jìn)行不完全微分ＰＩＤ處理或史密斯法處理，以計(jì)算提拉速度，再將提拉速度加到晶體提拉設(shè)備的電動(dòng)機(jī)控制器上，從而通過控制提拉速度控制提拉單晶的參數(shù)。為完成上述單晶硅直徑的一種控制方法的設(shè)備，包括輸入裝置、不完全微分ＰＩＤ計(jì)算裝置和輸出裝置。

單晶硅生產(chǎn)設(shè)備

一種單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，用以按照坩堝旋轉(zhuǎn)的切克勞斯基法高速提拉大直徑單晶硅。該設(shè)計(jì)的特點(diǎn)在于，分隔件是坩堝式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于３毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的８０％，分隔件的底部部分緊固在坩堝底部部分上，且分隔件支撐在圓柱形石英件上。

單晶硅生產(chǎn)設(shè)備

一種按照坩堝不旋轉(zhuǎn)的切克勞斯基法高速提拉直徑大、組成穩(wěn)定的單晶硅的單晶硅生產(chǎn)設(shè)備。通過妥善維持單晶硅外周邊與分隔件內(nèi)側(cè)熔融硅自由表面的熱平衡，可以高速提拉大直徑單晶硅。必須滿足的條件如下：φ４＝１８－２４英寸，φ３／φ４＝０．７５－０．８４；φ２－φ１＝３０－５０毫米，α＝１５－２５度；及ｈ＝１０－３０毫米，其中φ１為單晶硅直徑，φ２為保溫蓋圓柱形側(cè)面部分下端處的孔徑，φ３為分隔件的直徑，φ４為坩堝直徑，ｈ為熔融硅表面至φ２部分的距離。

單晶硅生產(chǎn)設(shè)備

一種大直徑單晶硅生產(chǎn)設(shè)備，具有一旋轉(zhuǎn)式石英坩堝、一電阻式加熱器、一具有連通孔的石英分隔件、一保溫蓋等。$開在分隔件上的連通孔其橫截面的總面積Ａ，當(dāng)原料進(jìn)料速度在３０與５０克／分子之間時(shí)在８０與１００平方毫米之間，當(dāng)原料進(jìn)料速度在５０至８０克／分的范圍時(shí)不小于１３０平方毫米，但不大于１２００平方毫米，當(dāng)原料進(jìn)料速度在８０至１３０克／分的范圍時(shí)不小于２２０平方毫米，但不大于１６００平方毫米。

制造單晶硅的裝置

一種利用切克勞斯基單晶生長(zhǎng)法的大直徑單晶制造裝置，在保溫罩上部設(shè)置適當(dāng)?shù)拈_口，防止氣體介質(zhì)產(chǎn)生不良影響。開口總面積大于保溫罩下端和硅熔液液面之間形成間隙的面積，保溫罩和熱屏蔽件用金屬板構(gòu)成。

單晶硅上大面積（100）取向的金剛石膜的生長(zhǎng)方法

在單晶硅上大面積（１００）取向金剛石膜的生長(zhǎng)方法，是將單晶硅襯底在金剛石粉中研磨產(chǎn)生劃痕，以Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ為反應(yīng)氣體，采用微波制膜技術(shù)，控制系統(tǒng)壓力３０～４５ｔｏｒｒ范圍，嚴(yán)格控制襯底溫度在８７０～８９０℃范圍，并使襯底以０．２～１轉(zhuǎn)／分的轉(zhuǎn)速勻速轉(zhuǎn)動(dòng)，可制備大面積均勻生長(zhǎng)的（１００）取向的金剛石膜。本發(fā)明具有工藝簡(jiǎn)單、設(shè)備少、對(duì)襯底的解理面要求寬松、生長(zhǎng)速度快，生長(zhǎng)面積大等特點(diǎn)，適于生產(chǎn)。